ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs и GaAs

П.В.Середин\kern1pt, Э.П.Домашевская, А.Н.Лукин, И.Н.Арсентьев\kern1pt*,, Д.А.Винокуров\kern1pt*, И.С.Тарасов\kern1pt*

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 ноября 2007 г. Принята к печати 14 декабря 2007 г.)

Исследовано влияние толщины погруженных InAs- и GaAs-слоев на инфракрасные спектры отражения колебаний решетки в многослойных эпитаксиальных гетероструктурах AlInAs/InAs/AlInAs, InGaAs/GaAs/InGaAs, AlInAs/InGaAs/GaAs/InGaAs/AlInAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках InP(100). Оценены относительные напряжения, возникающие в слоях, окружающах погруженные, при изменении числа монослоев, из которых формируются квантовые точки, а также при изменении толщины самих слоев, окружающих погруженные.

PACS: 78.30.Fs, 78.67.Pt, 63.22.+m

 PDF версия (286Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster