ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Адсорбция метилтиола на поверхности GaAs(100)-(2x4): квантово-химический анализ из первых принципов

М.В.Лебедев

Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 13 августа 2007 г. Принята к печати 28 ноября 2007 г.)

Квантово-химические кластерные расчеты в рамках теории функционала плотности использованы для исследования механизма адсорбции молекулы метилтиола CH3SH на димер As-As, находящийся на поверхности GaAs(100). Показано, что адсорбция молекулы может происходить путем диссоциации либо связи S-H, либо связи C-S. Наименьшую энергию имеет состояние диссоциативной адсорбции с разрывом связи C-S и образованием молекулы метана и адатома серы, внедренного между поверхностными атомами мышьяка, составляющими димер. Несколько большую энергию имеет состояние диссоциативной адсорбции с разрывом связи S-H, в котором радикал CH3S-- адсорбируется на атом мышьяка димера, а атом водорода --- на атом галлия, связанный с этим атомом мышьяка. Анализ энергий орбиталей показывает, что эти два состояния обеспечивают химическую и электронную пассивацию поверхности полупроводника.

PACS: 68.43.Bc, 68.47.Fg, 82.65.+r

 PDF версия (544Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster