ФТП, 2008, том 42, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Примесные резонансные состояния в полупроводниках
О б з о р

В.Я.Алешкин, Л.В.Гавриленко, М.А.Одноблюдов *, И.Н.Яссиевич *

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 февраля 2008 г. Принята к печати 11 февраля 2008 г.)

Обсуждается современное положение дел в исследованиях локализованных и резонансных примесных состояний в квантово-размерных структурах и напряженных полупроводниках. Рассмотрены также резонансные оптические переходы, обусловленные взаимодействием с оптическими фононами. Проведен анализ различных методик расчета характеристик как донорных, так и акцепторных резонансных и локализованных состояний, а также представлен большой набор экспериментальных данных.

PACS: 71.23.An, 71.70.Fk

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster