-1 Проведено исследование образцов, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, которые содержат ультратонкие слои InGaN, излучающие в спектральном интервале от ультрафиолетового до желтого диапазонов. Определены энергия Урбаха, энергии локализации экситонов и активации носителей заряда, которые характеризуют излучательные и безызлучательные процессы в квантовых точках и барьерах исследуемых структур. Показано, что значения этих энергетических параметров линейно зависят от энергии фотона в диапазоне от 3.05 до 2.12 эВ. Установлено, что изменение интенсивности излучения в зависимости от температуры связано с увеличением числа термически активированных носителей, уходящих из квантовых ям в барьеры, а также с увеличением процессов рассеяния свободных экситонов на дефектах.

PACS: 78.67.De, 78.67.He, 78.55.Cr