ФТП, 2008, том 42, выпуск 6
ФТП, 2008, том 42, выпуск 6
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111)B и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии
Г.Э.Цырлин, Н.В.Сибирев, С.Sartel, J.-C.Harmand
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
LPN CNRS, 91460 Marcoussis, France
(Получена 24 октября 2007 г. Принята к печати 1 ноября 2007 г.)
|
Рассмотрены возможности получения латерально-упорядоченных массивов нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(110) и GaAs(111)B непосредственно при молекулярно-пучковой эпитаксии. Как и в случае подложки GaAs(111)B, на поверхности GaAs(110) нановискеры образуются в гексагональной фазе, что подтверждается и картинами дифракции быстрых электронов на отражение, снятыми при росте нановискеров, и спектрами фотолюминесценции. PACS: 68.70, 61.46.-w, 61.46.Hk |
| PDF версия (2.8Mb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster |