ФТП, 2008, том 42, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn при выключении

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов

Ульяновский государственный университет,
432700 Ульяновск, Россия

(Получена 16 июля 2007 г. Принята к печати 30 октября 2007 г.)

Результаты экспериментального исследования процесса спада тока, протекающего через тонкопленочную электролюминесцентную МДПДМ структуру, свидетельствуют о бимолекулярном процессе захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела. Предложена двухстадийная модель процесса, на первой стадии которой происходит ударный оже-захват горячих электронов. На второй стадии при смене направления поля дырки валентной зоны, генерированные за счет туннельной эмиссии с глубоких центров, дрейфуют к этой границе, где рекомбинируют с электронами наиболее глубоких заполненных поверхностных состояний. Определены время жизни электронов, скорость поверхностного захвата и сечение захвата электронов, их зависимости от параметров напряжения возбуждения, а также объяснено поведение зависимости мгновенного внутреннего квантового выхода от времени на участке спада.

PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 78.60.Fi

 PDF версия (648Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster