ФТП, 2008, том 42, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур на основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло

Т.Б.Попова, Л.А.Бакалейников, М.В.Заморянская, Е.Ю.Флегонтова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 10 июля 2007 г. Принята к печати 19 октября 2007 г.)

Рассмотрены особенности рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых гетероструктур на основе твердых растворов AIIIBV и AIIBVI с тонкими эпитаксиальными слоями. На основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло рассмотрено влияние слоя и подложки на распределение генерации рентгена по глубине. Продемонстрировано хорошее согласие расчетных и экспериментальных значений отношения интенсивностей излучения из слоя и массивного образца для модельных структур Al0.2Ga0.8As на подложке GaAs с разными толщинами слоя. Предложены методики, позволяющие проводить корректный микроанализ слоев с толщинами, большими 50 нм, а также одновременно определять состав и толщину эпитаксиальных слоев. Разработанные методики можно использовать при анализе тонких слоев и в других системах.

PACS: 79.60.Jv, 78.70.-g, 68.49.Jk, 78.70.En

 PDF версия (334Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster