Пленки Cd$$_xHg$$_1-xTe с $x~0.22$ толщиной $~10$ мкм выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из арсенида галлия и легировались мышьяком в процессе роста. Активационный отжиг легированных пленок позволил получить $p$-тип проводимости с концентрацией дырок до $1017$ см$-3$. Исследовано влияние температуры зоны крекинга источника мышьяка на эффективность встраивания мышьяка в пленку CdHgTe. Предложена модель, описывающая зависимость концентрации мышьяка в пленках от температуры зоны крекинга. Из сопоставления модели и экспериментальных данных следует, что эффективность встраивания двухатомного мышьяка примерно на 2 порядка выше, чем четырехатомного.

PACS: 61.72.Vv, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.15.Hi