ФТП, 2008, том 42, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование зависимости электрофизических
параметров пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием

В.С.Варавин\kern1pt, С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, Н.Н.Михайлов,
Ю.Г.Сидоров, Г.Ю.Сидоров, М.В.Якушев

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 23 октября 2007 г. Принята к печати 6 ноября 2007 г.)

Исследованы зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и подвижности электронов от уровня легирования индием в пленках CdxHg1-xTe. Пленки с x~0.22 были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs и легированы индием в процессе роста по всей толщине. Исследованы температурные зависимости времени жизни в диапазоне температур 77-300 K. Уменьшение времени жизни с ростом уровня легирования определяется механизмом оже-рекомбинации. С увеличением уровня легирования наблюдается снижение подвижности, что качественно соответствует теоретическим расчетам.

PACS: 61.72.Vv, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.15.Hi

 PDF версия (179Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster