ФТП, 2008, том 42, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О волновых функциях горячих экситонов в полупроводниках с вырожденными зонами

А.В.Ефанов

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 12 июля 2007 г. Принята к печати 10 октября 2007 г.)

Рассмотрены горячие экситоны в прямозонных кубических полупроводниках с вырожденной валентной зоной. Найдены поправки к модели независимых экситонных ветвей по малому параметру h/K aB, где K --- импульс экситона, aB --- боровский радиус. Рассматриваемые поправки обусловлены внутренними движениями частиц в экситоне. Показано, что они приводят к смешиванию состояний легких и тяжелых дырок в экситонной волновой функции. Вследствие этого становятся разрешенными процессы рассеяния экситонов на нулевой угол с переходами между разными экситонными ветвями. В работе рассмотрена область кинетических энергий, не превышающих величину спин-орбитального расщепления в валентной зоне. Закон дисперсии дырок описан в сферической модели Кона-Латтинджера (матрица 4x4).

PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd

 PDF версия (130Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster