ФТП, 2008, том 42, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия
О б з о р

Н.В.Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 сентября 2007 г. Принята к печати 26 сентября 2007 г.)

Приводится обзор результатов, полученных в светодиодах на основе гетероструктур, содержащих в активной области InAs, и выращенных методами жидкофазной, молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Проведен анализ яркости, картин ближнего поля, ватт-амперных и вольт-амперных характеристик светодиодов, имеющих конструкции с точечным контактом и флип-чип.

PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.55.Cr

 PDF версия (2.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster