ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности пространственного распределения In в эпитаксиальных слоях InGaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией

В.Н.Жмерик\kern1pt, А.М.Мизеров, Т.В.Шубина, Д.С.Плотников, М.В.Заморянская, М.А.Яговкина,
Я.В.Домрачева, А.А.Ситникова, С.В.Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 25 сентября 2007 г. Принята к печати 17 октября 2007 г.)

Исследованы процессы, ведущие к формированию пространственно неоднородного распределения In в слоях InxGa1-xN с x=0-0.6, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота при относительно низких температурах роста (590-630oC). Обнаружено, что при небольших значениях x<0.1 рост происходит псевдоморфно (по крайней мере до толщины 70 нм), и эти слои характеризуются высокой однородностью распределения In, что подтверждает их термодинамическую стабильность. При повышении x до ~ 0.3 наблюдаются признаки неоднородного распределения In, что связывается с релаксацией механических напряжений, облегчающей развитие фазового распада. Показано, что слои с более неоднородным распределением In имеют более интенсивную фотолюминесценцию в области энергий 2.0-2.5 эВ. Для слоев с x~ 0.6 наблюдается полный фазовый распад с образованием нескольких фаз с широким спектром составов, включая область вблизи бинарного соединения InN.

PACS: 81.40.Tv, 81.05.Ee, 81.15.Gh

 PDF версия (1.2Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster