ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О природе затухающих колебаний тока при образовании статического акустоэлектрического домена в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами

П.А.Белевский, М.Н.Винославский\kern1pt, В.Н.Порошин, И.В.Строганова

Институт физики Национальной академии наук Украины,
03680 Киев, Украина

(Получена 20 сентября 2007 г. Принята к печати 17 октября 2007 г.)

Экспериментально показано, что отражение от границ образца акустического потока в условиях возникновения статического акустоэлектрического домена в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в латеральном электрическом поле существенно влияет на длительность инкубационного времени образования домена, форму и амплитуду колебаний тока.

PACS: 72.50.+b, 73.50.Rb, 77.65.Dq, 73.63.Hs

 PDF версия (183Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster