ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Усиление фотолюминесценции структур с нанокристаллическим кремнием, стимулированное низкодозовым gamma-облучением

И.П.Лисовский\kern1pt, И.З.Индутный, М.В.Муравская, В.В.Войтович\kern1pt*, Е.Г.Гуле, П.Е.Шепелявый

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Институт физики Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 20 июня 2007 г. Принята к печати 12 октября 2007 г.)

Проведено исследование спектров инфракрасного поглощения и фотолюминесценции тонкопленочных структур nc-Si/SiO2 с нанокристаллическим кремнием (nc-Si), подвергнутых ионизирующему облучению (60Co) в диапазоне доз 104-107 рад. Впервые показано, что малые дозы облучения (5·1045 рад) приводят к заметному (до 40%) росту интенсивности полосы фотолюминесценции при 1.33 эВ. Инфракрасные спектры свидетельствуют об отсутствии изменения состава и структуры нанокомпозита. Обнаруженный эффект объяснен структурным упорядочением границы раздела нанокристалл-матрица, стимулированным низкодозовым облучением, т. е. устранением дефектов (рекомбинационных центров) на границах раздела nc-Si--SiO2 и вследствие этого усилением излучательного канала рекомбинации.

PACS: 61.80.Ed, 78.55.Ap, 78.67.Bf, 78.67.Hc

 PDF версия (182Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster