ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Критическая толщина перехода по Странскому--Крастанову
с учетом эффекта сегрегации

Д.В.Юрасов, Ю.Н.Дроздов

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 16 июля 2007 г. Принята к печати 1 октября 2007 г.)

Предложена новая оценка для критической толщины перехода 2D-3D при эпитаксиальном росте в системах GexSi1-x/Si(001) и InxGa1-xAs/GaAs(001) с учетом сегрегации атомов во время ростового процесса. В качестве критерия такого перехода по Странскому--Крастанову использован баланс между выигрышем в упругой энергии системы за счет релаксации островка и проигрышем в поверхностной энергии системы из-за увеличения площади поверхности. В отличие от ранее известных критериев величина упругой энергии вычисляется с учетом всех нанесенных слоев, а не только верхнего. Сегрегация описана моделью термоактивационного обмена атомов на границе поверхность--(верхний слой). Сравнение с экспериментом вычисленных значений критической толщины для различного состава наносимого твердого раствора, температуры и скорости роста показало достаточно хорошее совпадение в обеих системах. Обсуждаются механизмы перехода, отвечающие предложенному критерию.

PACS: 68.65.Hb, 68.35.Dv, 81.07.St

 PDF версия (165Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster