ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe

С.В.Зайцев, А.А.Максимов, И.И.Тартаковский, Д.Р.Яковлев\kern1pt+, А.Вааг\kern1pt*

Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
+ Experimentelle Physik II, University of Dortmund,
D-44227 Dortmund, Germany
* Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University,
D-38106 Braunschweig, Germany

(Получена 13 сентября 2007 г. Принята к печати 26 сентября 2007 г.)

Показано, что в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высоких плотностях пространственно разделенных электронов и дырок достигаются условия резонансного туннелирования фотовозбужденных дырок из слоя ZnSe в слой BeTe. Обнаружено нелинейное поведение интенсивности полосы фотолюминесценции пространственно прямого оптического перехода от плотности фотовозбуждения. Проведенные численные расчеты находятся в хорошем согласии с экспериментальными результатами в широком диапазоне изменения величины оптической накачки.

PACS: 73.21.Cd, 73.40.Gk,78.55.Et

 PDF версия (308Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster