| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Примесная проводимость монокристаллов HgInTe
Л.А.Косяченко, И.И.Герман, И.М.Раренко, З.И.Захарук, Е.С.Никонюк
Черновицкий национальный университет,
58012 Черновцы, Украина
Украинский национальный университет водного хозяйства и природопользования,
33028 Ровно, Украина
(Получена 27 августа 2007 г. Принята к печати 4 сентября 2007 г.)
|
Исследованы монокристаллы -HgInTe с удельным сопротивлением , используемые в фотодиодах на длину волны 1.55 мкм. Показано, что электропроводность материала определяется донорами двух типов с энергией ионизации 0.063 и 0.18 эВ, а подвижность носителей --- преимущественно рассеянием на заряженных центрах. Исходя из уравнения электронейтральности получено количественное описание наблюдаемой температурной зависимости концентрации электронов в интервале K. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.40.Gh |
| PDF версия (169Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster |