ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние состояния вакансионного равновесия на процесс диффузии примеси хрома в арсениде галлия

С.С.Хлудков\kern1pt

Обособленное структурное подразделение \glqq Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова
Томского государственного университета\grqq,
634050 Томск, Россия

(Получена 17 мая 2007 г. Принята к печати 28 мая 2007 г.)

Представлены результаты исследования процесса диффузии примеси Cr в GaAs по данным электрических измерений. Определены зависимости коэффициента диффузии и предельной растворимости электрически активных атомов Cr в GaAs от температуры (при фиксированных давлениях паров As) и от давления паров As (при фиксированных температурах). Установлена зависимость коэффициента диффузии Cr в GaAs от отношения объема исследуемого образца к объему ампулы для случая сильного отклонения от стехиометрии кристалла в сторону избытка Ga. Полученные экспериментальные результаты анализируются на основе представлений о диссоциативном механизме миграции атомов Cr в кристаллической решетке GaAs, согласно которому коэффициент диффузии существенно зависит от концентрации вакансий Ga.

PACS: 66.30.Jt, 68.35.Fx, 81.40.Vw

 PDF версия (104Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster