ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом

В.В.Безотосный\kern1pt*, В.В.Васильева, Д.А.Винокуров, В.А.Капитонов, О.Н.Крохин\kern1pt*, А.Ю.Лешко,
А.В.Лютецкий, А.В.Мурашова\kern1pt, Т.А.Налет, Д.Н.Николаев, Н.А.Пихтин, Ю.М.Попов\kern1pt*,
С.О.Слипченко, А.Л.Станкевич, Н.В.Фетисова, В.В.Шамахов, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
117924 Москва, Россия

(Получена 26 июня 2007 г. Принята к печати 4 июля 2007 г.)

Проведено сравнение параметров мощных многомодовых лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм, полученных на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом в системах твердых растворов AlGaAs/GaAs и (Al)GaInP/GaInAsP/GaAs. В лазерах на основе системы AlGaAs/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO2/Si и составила 4.7 Вт. В лазерах на основе системы (Al)GaInP/GaInAsP/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена термическим насыщением и составила 7 Вт. Полученные результаты показали, что с точки зрения увеличения максимальной оптической мощности и срока службы лазеров более надежной является система (Al)GaInP/GaInAsP/GaAs.

PACS: 42.55.Px, 78.55.Cr, 78.67.De

 PDF версия (152Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster