| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фотолюминесценция полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных фталоцианинов эрбия
И.А.Белогорохов , Ю.В.Рябчиков, Е.В.Тихонов, В.Е.Пушкарев,
М.О.Бреусова, Л.Г.Томилова, Д.Р.Хохлов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
(Получена 3 июля 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)
|
Работа посвящена исследованию люминесцентных свойств ансамблей полупроводниковых структур, состоящих из органических молекул фталоцианина с ионами эрбия в качестве комплексообразователя. Получены спектры фотолюминесценции структур типа моно-, бис- и трифталоцианина эрбия. Обнаружены максимумы фотолюминесценции, располагающиеся на длинах волн 888, 760 и 708 нм (1.4, 1.6 и 1.75 эВ соответственно), отвечающие электронным переходом внутри органических комплексов. Обнаружено, что при внедрении металлического комплексообразователя в молекулярную структуру лиганда максимум фотолюминесценции на 708 нм не наблюдается. Показано, что в образцах типа бисфталоцианина наблюдается увеличение сигнала фотолюминесценции, связанное с переходом с уровня в ионах эрбия. PACS: 78.55.Kz |
| PDF версия (236Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster |