ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Поляризационная пьезоспектроскопия фотолюминесценции квантовой ямы GaAs/Al0.35Ga0.65As:Be

Н.С.Аверкиев, Ю.Л.Иванов, А.А.Красивичев, П.В.Петров, Н.И.Саблина, В.Е.Седов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 13 августа 2007 г. Принята к печати 30 августа 2007 г.)

Фотолюминесценция квантовых ям GaAs/Al0.35Ga0.65As:Be исследована при T=77 и 300 K в условиях одноосного сжатия вдоль оси [110]. В спектре фотолюминесценции преобладали две полосы, которые при нулевом давлении и температуре 77 K имели максимумы, соответствующие 1.517 и 1.532 эВ. Сопоставление экспериментальных и теоретических зависимостей положения этих максимумов и поляризации фотолюминесценции от величины давления показало, что рассматриваемые полосы при T>=q 77 K обусловлены рекомбинацией свободных электронов с тяжелыми и легкими дырками в валентной зоне GaAs.

PACS: 78.67.De, 78.55.Cr, 77.65.Ly, 73.21.Fg, 72.25.Rb

 PDF версия (223Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster