ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффект Ваннье--Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si

М.М.Соболев, Г.Э.Цырлин, А.А.Тонких, Н.Д.Захаров*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2,
06120 Halle/Saale, Germay

(Получена 26 июня 2007 г. Принята к печати 4 июля 2007 г.)

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из квантовых состояний в 20-слойной сверхрешетке квантовых точек Ge в p-n-гетероструктуре Ge/Si. Установлено, что DLTS-спектры находятся в сильной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения Ur. Определены три диапазона напряжения смещения Ur, которые характеризовались проявлением трех режимов эффекта Ваннье--Штарка: лестницы и локализации Ваннье--Штарка, а также нерезонансного туннелирования Зинера. Кроме того, установлено, что появление DLTS-пиков для всех трех режимов связывается с эмиссией электронов с глубоких уровней дефектов, идущей через локализованные состояния Ваннье--Штарка, образующиеся в результате расщепления мини-зоны электронов в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si.

PACS: 73.21.Cd, 73.21.La, 73.63.Hs, 73.63.Kv

 PDF версия (213Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster