ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек

А.С.Школьник\kern1pt, А.В.Савельев\kern1pt*, Л.Я.Карачинский, Н.Ю.Гордеев, Р.П.Сейсян,
Г.Г.Зегря, S.Pellegrini\kern1pt$, G.S.Buller\kern1pt$, В.П.Евтихиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
$ School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Riccarton,
Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom

(Получена 21 июня 2007 г. Принята к печати 25 июля 2007 г.)

Представлены результаты фотолюминесцентных исследований с временным разрешением гетероструктур, содержащих однослойные массивы InAs/GaAs-квантовых точек. Исследована двухкомпонентная временная зависимость интенсивности фотолюминесценции из основного состояния квантовых точек с характерными временами \glqq медленной\grqq компоненты до сотен наносекунд и \glqq быстрой\grqq в единицы наносекунд. Показано, что \glqq медленная\grqq компонента обусловлена процессами переноса неравновесных носителей заряда между квантовыми точками. При низких температурах время \glqq медленной\grqq составляющей определяется процессом туннелирования, а при высоких --- процессом термического выброса неравновесных носителей заряда. Соотношение вкладов туннелирования и термического выброса определяется степенью изолированности квантовых точек. Построена теоретическая модель, описывающая влияние динамики переноса носителей на возникновение и затухание \glqq медленной\grqq компоненты фотолюминесценции.

PACS: 73.21.La, 73.63.-b

 PDF версия (285Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster