ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)

Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, К.Е.Кудрявцев, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков,
М.В.Шалеев, Д.В.Шенгуров, В.Б.Шмагин, А.Н.Яблонский

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 5 июня 2007 г. Принята к печати 20 июня 2007 г.)

Выполнены сравнительные исследования фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001). Сигнал люминесценции островков наблюдается вплоть до комнатной температуры. Отжиг структур приводит к коротковолновому сдвигу пика люминесценции, величина которого зависит от температуры отжига, что позволяет контролируемо изменять спектральное положение пика люминесценции островков Ge(Si) в диапазоне 1.3-1.55 мкм. Увеличение температурного гашения фотолюминесценции островков с ростом температуры отжига связывается со снижением содержания Ge в островках в процессе отжига, что приводит к уменьшению глубины потенциальной ямы для дырок в островках. Продемонстрировано существенное подавление температурного гашения электролюминесценции островков Ge(Si) в неотожженной структуре при увеличении тока накачки.

PACS: 78.55.Ap, 78.60.Fi, 78.67.Hc, 81.07.Ta

 PDF версия (246Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster