ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов ZnSe

Е.М.Зобов\kern1pt, М.Е.Зобов, Ф.С.Габибов, И.К.Камилов, Ф.И.Маняхин\kern1pt*, Е.К.Наими\kern1pt*

Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия
* Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет)
119991 Москва, Россия

(Получена 25 апреля 2007 г. Принята к печати 11 августа 2007 г.)

Приведены результаты влияния ультразвуковой обработки кристаллов ZnSe на структуру энергетического спектра электронных состояний центров с глубокими уровнями, формирующими фотоэлектрические и люминесцентные свойства данного соединения. Впервые экспериментально доказано, что движение краевых дислокаций под действием ультразвука приводит к перегруппировке и генерации дефектов, образующих глубокие уровни, проявляющиеся в эффектах фоточувствительности и излучательной рекомбинации.

PACS: 71.55.Gs, 72.40.+w, 78.55.Et

 PDF версия (186Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster