ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Моделирование приповерхностной протонно-стимулированной диффузии бора в кремнии

О.В.Александров\kern1pt, В.В.Козловский\kern1pt*

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет \glqq ЛЭТИ\grqq,
197376 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 28 июня 2007 г. Принята к печати 6 июля 2007 г.)

Впервые разработана количественная модель приповерхностного перераспределения легирующей примеси в кремнии в процессе протонно-стимулированной диффузии. Согласно модели, приповерхностный пик концентрации примеси обусловлен миграцией к поверхности нейтральных пар примесь--собственный межузельный атом с последующим их распадом и накоплением примеси на поверхности кремния в тонком delta-слое. Следующие в глубь за приповерхностным пиком концентрации области обеднения и обогащения вызваны вытеснением ионизованной примеси электрическим полем из приповерхностной области его проникновения. Поле создается образующимся под действием протонного облучения зарядом пленки естественного оксида на поверхности кремния. Диффузионно-кинетические уравнения для примеси, собственных межузельных атомов, вакансий и пар примесь--собственный межузельный атом решались численно совместно с уравнением Пуассона. Показано количественное соответствие расчетов экспериментальным данным по протонно-стимулированной диффузии примеси бора в приповерхностной области кремния.

PACS: 61.72.Bb, 66.30.Jt, 61.72.Tt, 85.40.Ry

 PDF версия (170Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster