ФТП, 2008, том 42, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О способах испарения Si и легирующих примесей в методах вакуумной эпитаксии

В.П.Кузнецов, Н.А.Алябина, В.А.Боженкин, О.В.Белова, М.В.Кузнецов

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 7 июня 2007 г. Принята к печати 20 июня 2007 г.)

Cлои Si выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500-900oC со скоростью 1 мкм/ч в вакууме 10-5 Па. Показана возможность изменения концентрации Sb в слоях Si в интервале от 1015 до 1020 см-3 путем изменения температуры эпитаксии. Анализируются возможности разных способов испарения Si и легирующих примесей в вакууме.

PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lg, 78.60.Fi, 85.30.Kk

 PDF версия (153Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster