ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние оже-рекомбинации на тепловую стабильность мощных высоковольтных полупроводниковых диодов

Т.Т.Мнацаканов, М.Е.Левинштейн\kern1pt*,, А.С.Фрейдлин

Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,
111250 Москва, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 17 апреля 2007 г. Принята к печати 25 мая 2007 г.)

Предложена аналитическая модель, позволяющая учесть влияние оже-рекомбинации на положение точек инверсии на вольт-амперной характеристике высоковольтных полупроводниковых диодов. Показано, что оже-рекомбинация не только изменяет положение точек инверсии на вольт-амперных характеристиках диодов, но также меняет число возможных точек инверсии в структурах. Поскольку существование и положение точек инверсии в значительной мере определяют тепловую стабильность диодов, особенно в режиме ударных токов, предсказания модели представляются важными с практической точки зрения. Для проверки выводов аналитической модели проведен численный эксперимент с помощью программы \glqq Исследование\grqq. Результаты численных расчетов полностью согласуются с выводами аналитической модели.

PACS: 65.40.-b, 85.30.De, 85.30.Kk

 PDF версия (239Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster