ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Снижение подвижности электронов в канале металл-окисел-полупроводник транзистора
при уменьшении длины затвора

А.А.Французов, Н.И.Бояркина, В.П.Попов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 14 мая 2007 г. Принята к печати 24 мая 2007 г.)

Измерена эффективная подвижность mueff электронов в каналах металл-окисел-полупроводник транзисторов с длиной канала L от 3.8 до 0.34 мкм, изготовленных на пластинах типа кремний-на-изоляторе. Обнаружено, что mueff уменьшается при уменьшении L. Показано, что объяснить это уменьшение влиянием последовательных сопротивлений истока и стока можно, только если предположить быстрое возрастание сопротивлений при уменьшении затворного напряжения. Такое предположение трудно объяснить. Предложена более реалистичная модель, объясняющая наблюдаемое снижение mueff при уменьшении L. Модель предполагает возникновение на краях затвора зон с меньшей подвижностью, чем в средней части канала. Анализ показал, что при этом график зависимости величины 1/mueff от 1/L должен быть линейным, что и наблюдается в действительности. Использование этого графика позволяет определить подвижность электронов mu0 в средней части канала и некоторую величину A, характеризующую зоны со сниженной подвижностью на краях затвора.

PACS: 73.40.-c, 73.40.Qv, 73.25.+i, 73.20.-r

 PDF версия (185Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster