ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора

И.В.Грехов, П.А.Иванов\kern0.1pt, Н.Д.Ильинская, О.И.Коньков, А.С.Потапов, Т.П.Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 мая 2007 г. Принята к печати 14 мая 2007 г.)

Изготовлены и исследованы высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом. Охранный переход формировался имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Благодаря неравновесной диффузии бора во время отжига глубина залегания охранного p-n-перехода составляет около 1.7 мкм, что приблизительно на 1 мкм больше пробега ионов 11B в 4H-SiC. Максимальное обратное напряжение изготовленных 4H-SiC диодов Шоттки ограничено лавинным пробоем планарного охранного p-n-перехода; величина пробивного напряжения, равная 910 В, близка к теоретической для концентрации примесей в n-слое N=2.5· 1015 см-3, толщины n-слоя d=12.5 мкм и глубины залегания p-n-перехода rj=1.7 мкм. Сопротивление диодов в прямом направлении, 3.7 мОм · см2, определяется сопротивлением эпитаксиального n-слоя. Заряд обратного восстановления, около 1.3 нКл, численно равен заряду основных носителей, выносимых из эпитаксиального слоя при переключении диода Шоттки из открытого в запертое состояние.

PACS: 72.20.-i

 PDF версия (188Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster