ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические исследования пленок AlN/n-Si (100),
полученных методом высокочастотного
магнетронного распыления

Н.С.Заяц, В.Г.Бойко, П.А.Генцарь\kern1pt, О.С.Литвин, В.П.Папуша, Н.В.Сопинский

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 11 апреля 2007 г. Принята к печати 23 апреля 2007 г.)

Проведены морфологические и оптические (спектры отражения в диапазоне 200-750 нм, спектры пропускания в диапазоне 2-25 мкм, эллипсометрия) исследования пленок AlN толщиной 2-3 мкм, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления алюминиевой мишени в газовой смеси Ar и N2 (1 : 3) с осаждением на подложки из монокристаллического кремния n-Si (100) с удельным сопротивлением 20-60 Ом · см. Показано, что пленки являются плотными, прозрачными, аморфными с кристаллическими зернами и могут эффективно использоваться в тонкопленочной технологии для изготовления современных микро- и оптоэлектронных приборов.

PACS: 73.61.Ey, 73.61.Jc, 78.40.Pg, 78.66.Fd

 PDF версия (190Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster