ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция локализованных экситонов
в квантовых точках InGaN

С.О.Усов, А.Ф.Цацульников, В.В.Лундин, А.В.Сахаров, Е.Е.Заварин, Н.Н.Леденцов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 17 мая 2007 г. Принята к печати 28 мая 2007 г.)

Спектры фотолюминесценции образцов, содержащих ультратонкие слои InGaN в матрицах AlGaN и GaN, экспериментально исследованы в интервале температур от 80 до 300 K. Показано, что температурные зависимости описываются в рамках модели Елисеева и параметр дисперсии энергии локализации экситонов зависит от среднего состава индия в твердых растворах InGaN, входящих в активную область исследуемых образцов. Из анализа низкоэнергетической части формы линии спектра была также определена энергия Урбаха, характеризующая энергию локализации экситонов в хвостах плотности состояний. Показано, что полученные значения дисперсии энергии локализации экситонов и энергии Урбаха, используемые для оценки эффектов локализации экситонов, линейно зависят от длины волны пика фотолюминесценции в диапазоне от ультрафиолетовой до зеленой части спектра.

PACS: 78.55.-m, 78.67.Hc, 78.55.Cr

 PDF версия (263Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster