ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Стимулированное излучение гетероструктур на основе CdxHg1-xTe
при комнатной температуре в условиях оптической накачки

А.А.Андронов, Ю.Н.Ноздрин, А.В.Окомельков\kern1pt, А.А.Бабенко\kern1pt+,
В.С.Варавин\kern1pt+, Д.Г.Икусов\kern1pt+, Р.Н.Смирнов\kern1pt+

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
+ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 14 мая 2007 г. Принята к печати 24 мая 2007 г.)

Сообщается об экспериментальном наблюдении стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1.4-4.5 мкм гетероструктур на основе CdxHg1-xTe при оптической накачке. В экспериментах использовались варизонные образцы CdxHg1-xTe, выращенные на подложках GaAs и Si с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция таких структур наблюдалась при температурах 77--300 K при импульсной накачке образцов Nd : YAG-лазером (длина волны 1.064 мкм). При комнатной температуре стимулированное излучение наблюдалось на длинах волн 1.4--1.7 мкм. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из объемных варизонных структур CdxHg1-xTe на подложках Si и GaAs.

PACS: 78.45.+h, 78.55.Et, 78.66.Hf

 PDF версия (265Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster