ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Пространственное распределение дефектов и кинетика
неравновесных носителей заряда в вюрцитных
кристаллах GaN, легированных Sm, Eu, Er, Tm
и дополнительно введенной примесью Zn

М.М.Мездрогина\kern1pt, В.В.Криволапчук, Ю.В.Кожанова\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 31 мая 2007 г. Принята к печати 13 июня 2007 г.)

На основании анализа время-разрешенных и стационарных спектров фотолюминесценции установлено, что пространственное распределение примеси редкоземельных ионов в вюрцитных кристаллах GaN, легированных Sm, Eu, Er, Tm, определяется как типом и концентрацией дефектов в исходной полупроводниковой матрице, так и типом (сегрегационной особенностью) примеси. Легирование многозарядной примесью редкоземельных ионов и дополнительно введенной примесью Zn приводит к сенсибилизации излучения. Для рассмотрения эффекта сенсибилизации излучения в случае кристаллов GaN с n- и p-типами проводимости использована модель изоэлектронных ловушек.

PACS: 71.55.Eq, 78.47.+p, 78.55.Cr

 PDF версия (665Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster