ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Бистабильные амфотерные центры в полупроводнике

А.Г.Никитина, В.В.Зуев

Московский инженерно-физический институт (государственный университет),
115409 Москва, Россия

(Получена 29 марта 2007 г. Принята к печати 3 мая 2007 г.)

Показано, что в условиях термодинамического равновесия освобождение носителей заряда из локализованных состояний бистабильных амфотерных центров в квазисвободные зависит от степени компенсации, что приводит к различным функциональным зависимостям концентрации свободных носителей от температуры. Обнаружено, что в случае некомпенсированного полупроводника, как для бистабильных амфотерных центров, так и для бистабильных амфотерных U--центров, концентрация свободных носителей будет изменяться по одному и тому же закону, хотя распределения по зарядовым состояниям и конфигурациям для этих центров различны. Результаты работы могут быть использованы для объяснения разнообразных экспериментальных данных, в которых традиционный подход встречает трудности.

PACS: 61.72.Bb, 61.72.Ji, 71.55.-i, 72.20.Fr

 PDF версия (181Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster