ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Восстановление профиля потенциала в изолирующем слое по вольт-амперным характеристикам
туннельных МДП диодов

Е.И.Гольдман\kern1pt, А.Г.Ждан, Н.Ф.Кухарская, М.В.Черняев\kern1pt+

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141120 Фрязино, Россия
+ ОАО \glqq НИИМЭ и Микрон\grqq,
124460 Зеленоград, Россия

(Получена 5 марта 2007 г. Принята к печати 27 марта 2007 г.)

Развит метод восстановления профиля потенциала в изолирующем слое по полевым зависимостям туннельного тока сквозь него. Из туннельных вольт-амперных характеристик в квазиклассическом приближении определяются значения координат точек поворота как функций напряжения на диэлектрическом промежутке, и по этим зависимостям параметрически строится потенциал. Развитый алгоритм использован в отношении структуры n+-Si-SiO2-n-Si с толщиной окисла 37 Angstrem. Для реального потенциального рельефа в SiO2 характерны относительно толстые слои (~ 10 Angstrem) с пониженным значением потенциала, отделяющие Si от собственно барьера, ограничивающего туннелирование электронов.

PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 73.40.Rw, 85.30.Mn

 PDF версия (238Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster