ФТП, 2008, том 42, выпуск 1: page 36...

ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Электрофизические свойства облученного протонами CdSnAs₂

В.Н.Брудный^\kern1pt, Т.В.Ведерникова

Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия

(Получена 25 апреля 2007 г. Принята к печати 14 мая 2007 г.)

Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига кристаллов

n

- и

p

-типа CdSnAs

₂, облученных ионами H

⁺ (5 МэВ,

2

· 10¹⁶ см

^-2). Определены предельные электрофизические характеристики облученного материала: постоянная Холла

< R

_H>~ -1.2 см

³/Кл, проводимость

<

sigma>~ 1350 Ом

^-1· см

^-1,

< |R

_H|><sigma>~ 1500 см

²/ В

· с и положение уровня Ферми

F

_lim~ 0.43-0.45 эВ выше потолка валентной зоны. Вычислено энергетическое положение \glqq нейтральной\grqq точки для соединения CdSnAs

₂.

PACS: 61.80.Jh, 72.20.Fr, 72.20.My, 72.80.Jc