ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (lambda=1.0-1.9 мкм)

А.В.Лютецкий, К.С.Борщев\kern1pt*, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, З.Н.Соколова\kern1pt, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия

(Получена 29 мая 2007 г. Принята к печати 6 июня 2007 г.)

В импульсном режиме генерации исследованы спектральные и ватт-амперные характеристики лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/InGaAsAl/InP и InGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs. Показано, что при высоких уровнях токовой накачки в полупроводниковых лазерах ближнего инфракрасного диапазона излучения концентрация носителей заряда в активной области возрастает за порогом генерации и наблюдается насыщение ватт-амперных характеристик. Теоретически исследованы процессы, происходящие в лазерах при возрастании концентрации носителей заряда за порогом генерации. Установлено, что при высоких уровнях накачки уменьшается скорость стимулированной рекомбинации, возрастает время жизни носителей заряда, уменьшаются концентрация излучаемых фотонов и квантовый выход стимулированного излучения. Показано, что падение квантовой эффективности и насыщение ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях токовой накачки определяются вкладом безызлучательной оже-рекомбинации.

PACS: 42.55.Px, 78.67.De, 85.30.De, 85.35.Be

 PDF версия (256Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster