ФТП, 2008, том 42, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников

Л.Д.Молдавская, Н.В.Востоков, Д.М.Гапонова, В.М.Данильцев,
М.Н.Дроздов, Ю.Н.Дроздов, В.И.Шашкин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 11 апреля 2007 г. Принята к печати 19 апреля 2007 г.)

Обсуждается новый вариант формирования гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками для фотоприемников инфракрасного диапазона методом металлорганической газофазной эпитаксии. Особенностями процесса являются использование повышенного времени роста квантовых точек и чередование низко- и высокотемпературного режимов заращивания квантовых точек барьерными слоями GaAs. В процессе заращивания происходят частичное растворение крупных квантовых точек и формирование вторичной квантовой ямы InGaAs из материала растворенных больших островков. При этом образуется сэндвич-структура, в которой квантовые точки расположены между двумя тонкими слоями с повышенным содержанием индия --- смачивающим слоем InAs и вторичным слоем InGaAs. Высота квантовых точек определяется толщиной слоя низкотемпературного GaAs. Для полученных структур характерна внутризонная фотопроводимость в области 4.5 мкм вплоть до 200 K. При 90 K фоточувствительность составляет 0.5 A/Bт, обнаружительная способность 3·109 см·Гц1/2Вт-1.

PACS: 68.65.Hb, 73.50.Pz, 73.63.Kv, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.15.Gh

 PDF версия (227Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster