ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дефекты структуры полупроводниковых сверхрешеток, выращиваемых на основе твердых растворов соединений AIIBVI

Г.Ф.Кузнецов

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 20 декабря 2006 г. Принята к печати 17 марта 2007 г.)

Методами рентгенодифрактометрии, дифракционных псевдокривых качания и частично рентгеновским топографическим методом изучены особенности дефектов кристаллических решеток многослойных приборных структур, содержащих малопериодные (T=<sssim20 нм) сверхрешетки, I типа ZnSe/CdxZn1-xSe/ZnSe/...
/ZnSe/(001)GaAs и II типа ZnS/ZnSe1-xSx/ZnS/.../ZnS/(001)GaAs. По данным количественного анализа рентгенодифракционных спектров периоды сверхрешеток, которые оказались в пределах TI=11.3-16.1 нм (при составах CdxZn1-xSe x1=0.047 и x2=0.107) для I типа сверхрешеток и TII=15.6-17.2 нм для II типа (при составах ZnSe1-xSx x1=0.20 и x2=0.10). Ширины дифракционных максимумов как от слоев ZnSe, так и от малопериодных сверхрешеток на дифракционных псевдокривых качания значительно превышают их ширины на рентгенодифракционных спектрах. Это доказывает, что в изученных образцах приборных структур произошла мощная пластическая деформация с образованием рядов прямолинейных дислокаций в пересекающихся системах скольжения. Чтобы исключить генерацию дислокаций в процессах выращивания необходимо уменьшить концентрации твердого раствора до величин x<0.047 для первого типа сверхрешеток и до x=<sssim0.062 для второго типа сверхрешеток, а также надо уменьшить толщину слоев ZnSe и ZnS.

PACS: 61.10.Nz, 68.37.Yz, 81.05.Dz, 85.35.Be

 PDF версия (326Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster