ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксация фотодиэлектрического эффекта в слоях Pb3O4

В.Т.Аванесян\kern1pt, Е.П.Баранова

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена,
191186 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 25 января 2007 г. Принята к печати 5 февраля 2007 г.)

Представлены экспериментальные результаты исследования кинетики фотодиэлектрического эффекта в слоях свинцового сурика Pb3O4. Фотоемкостные свойства и диэлектрические потери в условиях светового возбуждения изучались при варьировании спектрального состава излучения в области низких частот измерительного поля. Величины изменений диэлектрических параметров устанавливаются в течение длительного времени после включения (выключения) света. Обсуждается взаимосвязь фотодиэлектрических явлений с особенностями структуры полупроводника, в частности, с наличием электронов неподеленной пары, принадлежащей катионам Pb2+.

PACS: 73.50.Pz, 77.22.Gm, 81.40.Tv

 PDF версия (111Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster