| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Определение характерного пространственного масштаба флуктуаций толщины туннельно-тонкого диэлектрика в МДП структурах на основе данных электрических измерений
С.Э.Тягинов , М.И.Векслер, И.В.Грехов, V.Zaporojtchenko
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Technische Fakultat der Universitat Kiel,
D-24143 Kiel, Deutschland
(Получена 1 марта 2007 г. Принята к печати 12 марта 2007 г.)
|
Предложены и опробованы методики определения \glqq корреляционной длины\grqq для флуктуаций толщины тонкого диэлектрика с использованием данных измерений электрических характеристик туннельных МДП структур, т. е. без применения средств микроскопии. Один из предложенных подходов основан на статистической обработке результатов измерений тока для случайной выборки образцов. Другой метод базируется на анализе скачков тока в сторону уменьшения, происходящих при испытании приборов на достаточно высоком постоянном напряжении. Апробация методов проведена на туннельных структурах Al/SiO/Si. Полученные оценки пространственного масштаба флуктуаций толщины сопоставляются с результатами непосредственного измерения этого масштаба для тех же слоев окисла. PACS: 61.72.Hh, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 73.40.Qv, 73.40.Gk |
| PDF версия (301Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |