ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительность структур на пленках Cu(In,Ga)(S,Se)2, полученных термообработкой в парах S и Se

В.Ю.Рудь, М.С.Тиванов *, Ю.В.Рудь +, В.Ф.Гременок \S, Е.П.Зарецкая \S,
В.Б.Залесский #, Т.Р.Леонова #, П.И.Романов #

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
* Белорусский государственный университет,
220050 Минск, Белоруссия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
\S Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия
# Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии,
220090 Минск, Белоруссия

(Получена 7 ноября 2006 г. Принята к печати 28 февраля 2007 г.)

Методом одновременной сульфиризации и селенизации интерметаллических слоев Cu--In--Ga получены однофазные тонкие пленки твердых растворов Cu(In, Ga)(S, Se)2 (CIGSS), на которых вакуумным термическим напылением чистого In созданы выпрямляющие фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-CIGSS. Исследованы спектры фоточувствительности впервые полученных структур. Изучено влияние состава пленок твердых растворов и условий освещения на фотоэлектрические параметры новых структур In/p-CIGSS. Сделан вывод о перспективности полученных пленок CIGSS для создания тонкопленочных фотопреобразователей высокой эффективности.

PACS: 73.30.+y, 73.50.Pz, 81.40.Tv, 85.30.Hi

 PDF версия (239Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster