ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Создание и свойства точечных структур на монокристаллах n-InSe

Г.А.Ильчук, В.В.Кусьнэж, Р.Ю.Петрусь, В.Ю.Рудь*,, Ю.В.Рудь+, В.О.Украинец

Национальный университет \glqq Львивська политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 25 октября 2006 г. Принята к печати 28 февраля 2007 г.)

Методом электрического разряда созданы точечные структуры на основе монокристаллов InSe. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фоточувствительность структур (точечный контакт)/n-InSe. Обнаружено выпрямление и измерены первые спектры фоточувствительности полученных электрическим разрядом структур. Обнаружены и обсуждаются широкополосный характер и экситонная особенность спектров фоточувствительности структур (точечный контакт)/n-InSe. Установлена возможность применения точечных структур в качестве широкодиапазонных фотопреобразователей оптического излучения.

PACS: 71.20.Nr, 73.40.Ns, 73.50.Pz

 PDF версия (116Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster