ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn

Н.Т.Гурин\kern1pt, О.Ю.Сабитов, А.М.Афанасьев

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия

(Получена 11 декабря 2006 г. Принята к печати 25 января 2007 г.)

Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации в пленочных электролюминесцентных излучателях, позволяющая определить зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной области и длины области ударной ионизации, уточнить зависимости от времени поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, а также коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора.

PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 78.60.Fi

 PDF версия (650Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster