ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Усиление электролюминесценции кристаллов ZnSe(Te,O)
после gamma-облучения

Д.Б.Эльмурoтова, Э.М.Ибрагимова

Институт ядерной физики Академии нaук Республики Узбекистан,
702132 Ташкент, Узбекистан

(Получена 28 ноября 2006 г. Принята к печати 17 января 2007 г.)

Исследовалось воздействие gamma-излучения изотопа 60Co и влияниe обработки в парах цинка на электролюминесценцию кристаллов ZnSe(Te,O) для выявления возможности создания светоизлучающих структур. Широкополосная электролюминесценция с максимумом при 600 нм возбуждается в исходных образцах при напряжениях выше 70 B. После обработки кристаллов в парах цинка пороговое напряжение снижается до нескольких вольт независимо от полярности. Аналогичный эффект наблюдается после облучения. Положение максимума полосы электролюминесценции не зависит от величины напряжения и облучения. Она связана с рекомбинацией носителей заряда на центрах межузельного цинка по механизму возбуждения предпробойного типа. Обработка в парах цинка и gamma-облучение ZnSe(Te,O) приводят к усилению электролюминесценции при обеих полярностях приложенного напряжения.

PACS: 71.55.Gs, 78.60.Fe, 81.40.Wx

 PDF версия (258Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster