ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рассеяние электронов на захваченных поверхностных полярных оптических фононах в двухбарьерной гетероструктуре

Ю.Пожела , К.Пожела, В.Юцене

Институт физики полупроводников,
01108 Вильнюс, Литва

(Получена 6 февраля 2007 г. Принята к печати 7 февраля 2007 г.)

Показано, что в двухбарьерной гетероструктуре наряду с захватом объемных полярных оптических фононов имеет место захват поверхностных (интерфейсных) фононов. Сила взаимодействия электронов с захваченными интерфейсными фононами снижается с уменьшением толщины фононной ямы --- полупроводникового слоя, в котором захвачены фононы. Предложен новый подход для снижения рассеяния электронов полярными оптическими фононами в двухбарьерной квантовой яме, основанный на раздельном захвате фононов в узкие фононные ямы. Вычисленная скорость рассеяния с учетом захвата интерфейсных фононов в квантовых ямах GaAs/InAs/GaAs и AlAs/GaAs/AlAs оказывается много ниже, чем полученная в приближении рассеяния захваченных электронов на объемных фононах. Получено многократное снижение скорости электрон-фононного рассеяния в квантовой яме AlAs/GaAs/AlAs путем разделения ее мономолекулярным слоем InAs, прозрачным для электронов, но являющимся отражающим барьером для полярных оптических фононов.

PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.40.Kp

 PDF версия (274Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster