ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование, кристаллическая структура и свойства кремния
со встроенными нанокристаллитами дисилицида железа
на подложках Si (100)

Н.Г.Галкин, Д.Л.Горошко, В.О.Полярный, Е.А.Чусовитин, А.К.Гутаковский\kern1pt+, А.В.Латышев\kern1pt+, Y.Khang\kern1pt*

Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук,
690041 Владивосток, Россия
+ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Samsung Advanced Institute of Technology, Materials Laboratory,
San 14-1, Nongseo-Ri, Kihung-Eup, Yongin, Kyungki-Do 449-712, Korea

(Получена 9 января 2007 г. Принята к печати 22 января 2007 г.)

Методами дифракции медленных электронов, измерений эффекта Холла in situ, атомной силовой микроскопией и просвечивающей электронной микроскопией с высоким разрешением изучены формирование островков силицидов железа на поверхности Si (100)-(2x 1) и заращивание их кремнием; исследованы электрические свойства и структура кремния со встроенными нанокристаллитами силицидов железа. Наилучшее кристаллическое качество сплошного монокристаллического кремниевого слоя и минимальная шероховатость его поверхности наблюдались при температуре роста кремния 700oC и толщине 100 нм. Предложена модель роста кремния поверх нанокристаллов силицидов железа. Обнаружены два типа формирующихся нанокристаллитов: малые (5-6 нм) beta-FeSi2 и большие (30-50 нм) gamma-FeSi2. Хорошее согласие электрических параметров кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицидов железа и атомарно-чистого кремния подтвердило минимальное рассеяние носителей на нанокристаллитах в температурном диапазоне 300-540 K.

PACS: 73.63.Bd, 81.05.Hd, 81.10.Jt, 81.15.Hi

 PDF версия (318Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster