Длительное (на протяжении $24-120$ ч) окисление кристаллов $n$-InSe на воздухе приводит к образованию потенциального барьера, а изменение режимов термического окисления влияет на электрические и фотоэлектрические параметры полученных структур. Поведение вольт-амперных характеристик гетероструктур (собственный окисел)$-$$n$-InSe обусловлено суперпозицией диффузионного и шунтирующих токов. Изменения в спектрах фоточувствительности связаны с образованием таких фаз окислов, как In$$₂O$$₃ и In$$₂(SeO$$₄)$$₃. Установлено, что гетероструктура (собственный окисел)$-$$n$-InSe является структурой типа полупроводник$-$диэлектрик$-$полупроводник.

PACS: 72.10.Jv, 72.40.+w, 73.40.Ty, 81.65.Mq, 85.60.Dw