ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности проводимости сильно легированного акцепторной примесью In интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn

В.А.Ромака +*, Ю.В.Стаднык , В.В.Ромака , D.Fruchart =/=,
Ю.К.Гореленко , В.Ф.Чекурин +, А.М.Горынь

+ Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины,
79060 Львов, Украина
* Национальный университет \glqq Львовская политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
Львовский Национальный университет им. И. Франко,
79005 Львов, Украина
=/= Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований,
38042 Гренобль, Франция

(Получена 22 ноября 2006 г. Принята к печати 15 декабря 2006 г.)

Исследованы температурные и концентрационные зависимости удельного сопротивления и коэффициента термоэдс сильно легированного и сильно компенсированного полупроводникового твердого раствора ZrNiSn1-xInx в диапазоне температур T=80-380 K и диапазоне концентраций x=0.005-0.15. Высказано предположение, что полупроводник ZrNiSn, сильно легированный акцепторной примесью In, является аморфным полупроводником. Экспериментально установлена пропорциональная зависимость между параметрами флуктуации зон непрерывных энергий, глубиной флуктуации и глубиной потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации. Впервые экспериментально подтвержден вывод Б.И. Шкловского и А.Л. Эфроса [ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)] о том, что в сильно легированном и полностью компенсированном полупроводнике максимальная амплитуда флуктуации зон непрерывных энергий равна половине ширины запрещенной зоны полупроводника, а уровень Ферми располагается посредине запрещенной зоны.

PACS. 71.20.Nr, 72.20.Pa

 PDF версия (399Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster